南强讲座第458期:为何FinFET将会取代现今使用的集成三极管?
作者:         文章出处: 学校办公室         发布时间: 2011-10-17         访问次数: 289

 南强讲座第458期:为何FinFET将会取代现今使用的集成三极管?

时 间:2011年10月25日上午10:00

地 点:克立楼三楼报告厅

报告人:胡正明(Chenming Hu) 

报告人简介:微电子学家,美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授、北京大学计算机科学技术系兼职教授、中国科学院微电子所荣誉教授、台湾交通大学(新竹)微电子器件荣誉教授、1991-1994年任清华大学(北京)微电子学研究所荣誉教授。三大科学院——美国国家工程院,中国科学院,中国台湾中央研究院院士。

报告摘要:Intel公司宣布将会在今年下半年启动的22纳米级微处理器计划中使用FinFET,并且将此3D三极管称为半导体技术领域50年来最为剧烈的变化。早在十年前,加利福尼亚大学伯克利分校就已开始进行FinFET研究,这种三极管究竟具有何种优势,未来又将会有哪些新型的三极管由于何种原因被人们发明并使用?